昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:芯片與封裝基板的粘接,往往是兩種不同性質(zhì)的材料,材料表面通常呈現(xiàn)為疏水性和惰性特征,其表面粘接性能較差,粘接過程中界面容易產(chǎn)生空隙,給密封封裝后的芯片帶來很大的隱患,對(duì)芯片與封裝基板的表面進(jìn)行等離子體處理能有效增加其表面活性,極大的改善粘接環(huán)氧樹脂在其表面的流動(dòng)性,提高芯片和封裝基板的粘結(jié)浸潤(rùn)性,減少芯片與基板的分層,改善熱傳導(dǎo)能力,提高IC封裝的可靠性、穩(wěn)定性,增加產(chǎn)品的壽命。
昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:集成電路引線鍵合的質(zhì)量對(duì)微電子器件的可靠性有決定性影響,鍵合區(qū)必須無污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在,如氧化物、有機(jī)殘?jiān)榷紩?huì)嚴(yán)重削弱引線鍵合的拉力值。傳統(tǒng)的濕法清洗對(duì)鍵合區(qū)的污染物去除不徹底或者不能去除,而采用等離子體清洗能有效去除鍵合區(qū)的表面沾污并使其表面活化,能明顯提高引線的鍵合拉力,極大的提高封裝器件的可靠性。
昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:在倒裝芯片封裝方面,對(duì)芯片以及封裝載板進(jìn)行等離子體處理,不但能得到超凈化的焊接表面,同時(shí)還能大大提高焊接表面的活性,可以有效的防止虛焊,減少空洞,提高焊接的可靠性,同時(shí)可以提高填充料的邊緣高度和包容性,改善封裝的機(jī)械強(qiáng)度,降低因不同材料的熱膨脹系數(shù)而在界面間形成內(nèi)應(yīng)的剪切力,提高產(chǎn)品可靠性和壽命。
昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:微電子封裝領(lǐng)域采用引線框架的塑封形式,仍占到80%以上,其主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架,銅的氧化物與其它一些有機(jī)污染物會(huì)造成密封模塑與銅引線框架的分層,造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象,同時(shí)也會(huì)影響芯片的粘接和引線鍵合質(zhì)量,確保引線框架的超潔凈是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵,經(jīng)等離子體處理可達(dá)到引線框架表面超凈化和活化的效果,成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會(huì)極大的提高,并且免除了廢水排放,降低化學(xué)藥水采購(gòu)成本。